当前位置:首页 > 上海澄洋多晶硅电阻线性度补偿方法研究

上海澄洋多晶硅电阻线性度补偿方法研究

2022-03-29 13:41:34
[导读]介绍了多晶硅电阻非线性度对信号链整体电路性能的影响,分析了多晶硅电阻非线性产生的原因。提出了衬底电位补偿和组合多晶补偿两种非线性补偿设计方法。采用仿真和测试,对比了未经补偿、新补偿方法的12位D/A转换器的性能。上海澄洋仪器仪表有限公司结果表明,经过多晶硅电阻补偿和非线性补偿后的D/A转换器达到了。

复杂填埋环境下,HDPE膜漏洞处电阻率特征及其影响因素、影响机制不明,制约了电法精准量化渗漏量在填埋领域的应用。基于防渗层渗漏电法检测原理,采用模拟渗漏装置和填埋场等效电路模型探析激励电压(20~200 V)、漏洞半径(1.0~12.5 mm)和渗滤液电阻率(0.68~2.60 Ω·m)等关键因素。上海澄洋仪器仪表有限公司对测量总电阻和漏洞电阻的影响规律和机制。结果表明:漏洞半径对于测量总电阻的影响呈幂函数,在漏洞半径小于4 mm,激励电压在20~40 V区间时,测量总电阻稳定性较差,而漏洞半径大于4 mm且激励电压大于40 V时,测量总电阻稳定性较好;上海精科了解到漏洞电阻随渗滤液电阻率变化明显且与渗滤液电阻率呈线性关系,表明渗滤液电阻率是影响漏洞电阻的主要因素之一。研究显示,测量总电阻、渗滤液电阻率与漏洞半径之间存在显著相关关系,受实际场地条件差异影响,不同填埋场地关系模型存在差异,可通过现场实验构建以测量总电阻和渗滤液电阻率为变量的漏洞半径表征关系模型,扩大基于电法的渗漏量化精准评估方法的适用范围。 

相关文章